igbt導(dǎo)通原理

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是一種具有高電壓和高電流控制能力的晶體管。它是一種混合型晶體管，結(jié)合了場效應(yīng)晶體管（FET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的導(dǎo)通原理與 BJT 相似，但是控制端采用了 FET 的結(jié)構(gòu)。

當(dāng) IGBT 的柵極（G）接收到正向電壓時，它會吸引 N 型區(qū)的自由電子，將它們引入 P 型區(qū)。當(dāng)電子進(jìn)入 P 型區(qū)時，它們會與 P 型區(qū)內(nèi)的空穴結(jié)合，形成復(fù)合物，釋放出能量。這些能量會激發(fā) P 型區(qū)內(nèi)的電子，使它們穿過 P-N 結(jié)，進(jìn)入 N 型區(qū)。當(dāng)這些電子進(jìn)入 N 型區(qū)時，它們會受到柵極電壓的控制，進(jìn)而形成電流流動路徑。這樣，IGBT 就會處于導(dǎo)通狀態(tài)。

與此同時，當(dāng)柵極沒有電壓時，IGBT 不會導(dǎo)通，因?yàn)闆]有電子被引入 P 型區(qū)。這種特性使得 IGBT 在電路中可以用作開關(guān)元件，控制電流的流動。

總之，IGBT 的導(dǎo)通原理是通過柵極電壓控制 P-N 結(jié)內(nèi)的電子流動，從而實(shí)現(xiàn)電流的導(dǎo)通和截斷。這種特性使得 IGBT 能夠在高電壓和高電流的環(huán)境下工作，并廣泛應(yīng)用于交流電驅(qū)動和電力電子控制領(lǐng)域。